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Aug 13, 2023

Infineon H7 650V IGBT はダイオードを追加します。

H7 IGBT デバイスは、高度なエミッタ制御設計を備えた EC7 同時パック ダイオードを特徴とし、環境に配慮し、高まるニーズに対応する高速テクノロジーと組み合わせています。

H7 IGBT デバイスは、高度なエミッタ制御設計を備えた EC7 同時パック ダイオードを特長とし、環境に配慮した高効率の電源ソリューションに対する高まるニーズに対応する高速テクノロジーと組み合わせています。

IGBT7 H7 は、最新のマイクロパターン トレンチ技術を使用してデバイスの制御と性能を向上させ、大幅な損失の削減、効率の向上、および電力密度の向上を実現します。 このデバイスは、ストリング インバータ、エネルギー貯蔵システム (ESS)、電気自動車の充電アプリケーション、および産業用 UPS や溶接などの従来のアプリケーションを対象としています。

ディスクリート パッケージの H7 は 40 A ～ 150 A を供給でき、TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus、TO-247-4 Plus の 4 つの異なるパッケージ タイプで提供されます。

H7 の TO-247-3 HCC バリアントは、沿面距離が長いことが特徴です。 性能を向上させるために、TO-247 4 ピン ケルビン パッケージはスイッチング損失を低減するだけでなく、電圧オーバーシュートの低減、導通損失の最小化、逆電流損失の最小化などの追加の利点も提供します。 これにより設計が簡素化され、デバイスを並列接続する必要性が最小限に抑えられます。

650V H7 IGBT は、過酷な環境でも信頼性の高い動作を実現する堅牢な耐湿性も備えており、JEDEC47/20/22、特に HV-H3TRB の関連テストに従って産業用途に認定されているため、屋外アプリケーションに最適です。

TRENCHSTOP IGBT 7 H7 は現​​在注文可能です。 さらに、認定サンプルもご利用いただけます。

www.infineon.com/discretegbt7