FDMS86200 FDMS86200DC N
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説明 FDMS86200: MOSFET N-CH 150V POWER56 パッケージ: PQFN-8 メーカー部品番号: FDMS86200 製造元: ON データシート: (PDF ファイルについては電子メールまたはチャットでお問い合

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説明

基本情報
モデル番号。FDMS86200
パッケージPQFN-8
カテゴリーMOSFET
品質本物の新しいオリジナル
D/C17+
製造業の上
輸送パッケージ
起源中国
HSコード8542390000
生産能力1000000PCS
製品説明

説明

FDMS86200: MOSFET N-CH 150V POWER56

パッケージ: PQFN-8

製造者部品番号: FDMS86200

製造元: ONデータシート: (PDF ファイルについては電子メールまたはチャットでお問い合わせください)

ROHS ステータス:

品質: 100% オリジナル

保証期間:180日

ダイオードスイッチング 75V 0.3A 2ピン SOD-323 T/R

部品のステータスアクティブ
FETタイプNチャンネル
テクノロジーMOSFET (金属酸化物)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)150V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C9.6A(Ta)、35A(Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)6V、10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs18ミリオーム @ 9.6A、10V
Vgs(th) (最大) @ ID4V @ 250μA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs46nC @ 10V
Vgs (最大)±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds2715pF@75V
FETの特徴-
消費電力(最大)2.5W(Ta)、104W(Tc)
動作温度-55℃~150℃(TJ)
取付タイプ表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ8-PQFN (5x6)
パッケージ・ケース8-PowerTDFN

会社の製品ライン


FDMS86200 FDMS86200DC N-channel MOSFET Transistor




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