FDMS86200 FDMS86200DC N
説明 FDMS86200: MOSFET N-CH 150V POWER56 パッケージ: PQFN-8 メーカー部品番号: FDMS86200 製造元: ON データシート: (PDF ファイルについては電子メールまたはチャットでお問い合
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基本情報
モデル番号。 | FDMS86200 |
パッケージ | PQFN-8 |
カテゴリー | MOSFET |
品質 | 本物の新しいオリジナル |
D/C | 17+ |
製造業 | の上 |
輸送パッケージ | 箱 |
起源 | 中国 |
HSコード | 8542390000 |
生産能力 | 1000000PCS |
製品説明
説明
FDMS86200: MOSFET N-CH 150V POWER56
パッケージ: PQFN-8
製造者部品番号: FDMS86200
製造元: ONデータシート: (PDF ファイルについては電子メールまたはチャットでお問い合わせください)
ROHS ステータス:
品質: 100% オリジナル
保証期間:180日
ダイオードスイッチング 75V 0.3A 2ピン SOD-323 T/R
部品のステータス | アクティブ |
FETタイプ | Nチャンネル |
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 150V |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 9.6A(Ta)、35A(Tc) |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V、10V |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 18ミリオーム @ 9.6A、10V |
Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250μA |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 46nC @ 10V |
Vgs (最大) | ±20V |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2715pF@75V |
FETの特徴 | - |
消費電力(最大) | 2.5W(Ta)、104W(Tc) |
動作温度 | -55℃~150℃(TJ) |
取付タイプ | 表面実装 |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) |
パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN |
会社の製品ライン